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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor49901+￥39.906210+￥37.6165100+￥35.9156250+￥35.6539500+￥35.39221000+￥35.09782500+￥34.83625000+￥34.6726 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6030KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新37515+￥19.948550+￥19.0960200+￥18.6186500+￥18.49931000+￥18.37992500+￥18.24355000+￥18.15837500+￥18.0730 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6015ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新37055+￥17.140550+￥16.4080200+￥15.9978500+￥15.89531000+￥15.79272500+￥15.67555000+￥15.60237500+￥15.5290 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6020ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新61425+￥18.930650+￥18.1216200+￥17.6686500+￥17.55531000+￥17.44202500+￥17.31265000+￥17.23177500+￥17.1508 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新597810+￥6.4800100+￥6.1560500+￥5.94001000+￥5.92922000+￥5.88605000+￥5.83207500+￥5.788810000+￥5.7672 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新794810+￥8.5800100+￥8.1510500+￥7.86501000+￥7.85072000+￥7.79355000+￥7.72207500+￥7.664810000+￥7.6362
